navitas单片集成醉大程度消除驱动回路寄生参数

内容摘要:以Navitas为代表的单片集成可以最大程度地消除驱动电路的寄生参数，使系统工作在更高的频率，这也使一些兆赫频率的应用成为可能。共同封装的代表公司有德州仪器和PowerIntegrat

以Navitas为代表的单片集成可以最大程度地消除驱动电路的寄生参数，使系统工作在更高的频率，这也使一些兆赫频率的应用成为可能。共同封装的代表公司有德州仪器和PowerIntegrations，单片氮化镓ic最大的优点是消除了驱动电路的寄生参数，随着产业的大规模商业化，GaN的生产成本有望快速下降，进一步刺激GaN器件的渗透，有望成为消费电子领域的下一个杀手级应用。

与GaAs、InP等高频工艺相比，氮化镓器件输出功率更大；与LDCMOS、SiC等功率工艺相比，氮化镓具有更好的频率特性。随着产业的大规模商业化，GaN的生产成本有望快速下降，进一步刺激GaN器件的渗透，有望成为消费电子领域的下一个杀手级应用。GaN主要用于生产功率器件。目前，三分之二的GaN器件用于军事电子领域，如军事通信、电子干扰、雷达等领域。

以Navitas为代表的单片集成可以最大程度地消除驱动电路的寄生参数，使系统工作在更高的频率，这也使一些兆赫频率的应用成为可能。共封装采用硅驱动IC加氮化镓功率器件，因为硅驱动IC已经非常成熟，所以共封装可以提供全面的驱动和保护功能。共同封装的代表公司有德州仪器和PowerIntegrations，单片氮化镓ic最大的优点是消除了驱动电路的寄生参数。